Электронная библиотека БГУ: 2020. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2020. Материалы и структуры современной электроники : [112] Главная страница коллекции Статистика

Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий.

Издание адресуется научным, педагогическим и инженерно-техническим работникам, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, может быть полезно аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей.

Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – 499 с. – (Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество).

Редакционная коллегия:

доктор физико-математических наук, профессор В. Б. Оджаев (гл. ред.); член-корреспондент НАН Беларуси, доктор технических наук, профессор В. А. Пилипенко; доктор физико-математических наук, профессор П. Жуковски; доктор физико-математических наук, профессор В. В. Петров; доктор физико-математических наук, профессор Н. А. Поклонский; доктор физико-математических наук, профессор М. Г. Лукашевич; кандидат физико-математических наук, доцент Н. М. Лапчук; кандидат физико-математических наук, доцент В. С. Просолович; кандидат физико-математических наук, доцент И. И. Азарко; кандидат физико-математических наук, доцент Н. И. Горбачук; кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник С. А. Вырко; научный сотрудник Т. М. Лапчук; младший научный сотрудник А. Н. Олешкевич

ISBN 978-985-881-073-3

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 61 по 80 из 112

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2020	Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуре	Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2020	Первичная и вторичная оптика полупроводниковых светодиодов для светотехнического оборудования транспортных средств	Балохонов, Д. В.; Сернов, С. П.
2020	Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторов	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020	Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителях	Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.
2020	Оптически активные дефекты в облученных ионами ксенона алмазах и их распределение до и после отжига	Казючиц, Н. М.; Казючиц, В. Н.; Королик, О. В.; Русецкий, М. С.; Кирилкин, Н. С.; Скуратов, В. А.
2020	Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах	Мискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.
2020	Первопринципное исследование взаимодействия краевой дислокации с примесными атомами меди в кремнии	Горкавенко, Т. В.; Плющай, И. В.; Плющай, А. И.
2020	Сегрегация углерода и преципитация SiC в упруго-деформированых слоях Si/SiGe(SiSn)/Si	Гайдук, П. И.
2020	Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах SiGe, обработанных в водородной плазме	Гиро, А. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Королик, О. В.
2020	Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмы	Бринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2020	Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами	Вабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2020	Структура и свойства газочувствительной композиции оксида вольфрама с графеном	Хорт, А. А.; Савицкий, А. А.; Гайдук, Ю. С.; Лапчук, Н. М.; Усенко, А. Е.; Паньков, В. В.
2020	Структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 в солнечных элементах	Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.; Мудрый, А. В.; Сулимов, М. А.; Могильников, И. А.; Якушев, М. В.
2020	Парамагнитные свойства НРНТ алмазов после облучения ускоренными электронами и отжига	Азарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Колесникова, А. В.
2020	Approaches to simulation of interaction of concentrated solar radiation with materials	Payzullakhanov, M. S.; Shermatov, Zh. Z.; Nodirmatov, E. Z.; Rajamatov, O. T.; Ernazarov, F. N.; Sulaimanov, M. T.; Nurmatov, F.; Makhmudov, Sh. Y.; Cherenda, N. N.
2020	The luminescence center with ZPL at 468 nm in CVD diamonds	Zaitsev, A. M.; Kazuchits, N. M.; Moe, K. S.
2020	Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схем	Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020	Near-edge optical anisotropy in SnSe single crystals	Zalamai, V. V.; Tiron, A. V.; Rusu, E. V.; Monaico, E. V.; Syrbu, N. N.
2020	Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучков	Телеш, Е. В.
2020	Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом	Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 61 по 80 из 112

< предыдущий следующий >

2020. Материалы и структуры современной электроники : [112] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр