Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257301
Title: Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторов
Other Titles: Influence of ion implantation of nitrogen on the electrophysical parameters of power MOS-transistors / V. B. Odzaev, A. K. Panfilenka, A. N. Pyatlitski, V. S. Prasalovich, N. S. Kovalchuk, Ya. A. Soloviev, V. A. Filipenia, D. V. Shestovski
Authors: Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Ковальчук, Н. С.
Соловьев, Я. А.
Филипеня, В. А.
Шестовский, Д. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 193-197.
Abstract: Исследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой. Дополнительно в часть приборов проводилась ионная имплантация азота с энергиями 20 кэВ и 40 кэВ в диапазоне доз 1×10 13 –5×10 14 см-2 через защитный оксид толщиной 20 нм. Для одной группы пластин проводился сначала быстрый термический отжиг (БТО), затем снятие оксида (прямой порядок), для другой группы – обратный порядок. Установлено, что при прямом порядке термообработки для образцов, изготовленных с дополнительной операцией имплантации N+, происходит увеличение порогового напряжения. При обратном порядке термообработки существенных различий в величине порогового напряжения для образцов, созданных с дополнительной имплантацией азота, и контрольных не наблюдается. Показано, что в диапазоне напряжений V G = 0…−0,3 В ток стока образцов, изготовленных с применением прямого порядка термообработки, выше, чем для контрольных образцов, а при обратном порядке термообработки − ниже. Полученные результаты объясняются различием в процессах генерации, трансформации и отжига радиационных дефектов на границе раздела Si/SiO2 при прямом и обратном режимах БТО
Abstract (in another language): Power MOSFET transistors with vertical structure are investigated. Additionally, in some devices, ion implantation of nitrogen with energies of 20 keV and 40 keV was carried out in a dose range of 1×10 13 –5×10 14 cm-2 through a sacrificial oxide 20 nm thick. For one group of wafers, rapid thermal annealing was first carried out, then oxide removal (forward order), for the other group ‒ reverse order. It was established that in the direct order of heat treatment for the samples prepared with the additional operation of N+ implantation, the threshold voltage increases. With the reverse order of heat treatment, no significant differences in the value of the threshold voltage for the samples created with additional implantation of nitrogen and the control ones are observed. It is shown that in the voltage range VG = 0 ... −0.3 V the drain current of the samples made using the direct order of heat treatment is higher than for the control samples, and in the reverse order of heat treatment it is lower. The obtained results are explained by the difference in the processes of generation, transformation, and annealing of radiation defects at the Si/SiO2 interface in the forward and reverse RTA regimes
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257301
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
193-197.pdf660,8 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.