Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторов

Abstract

Исследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой. Дополнительно в часть приборов проводилась ионная имплантация азота с энергиями 20 кэВ и 40 кэВ в диапазоне доз 1×10 13 –5×10 14 см-2 через защитный оксид толщиной 20 нм. Для одной группы пластин проводился сначала быстрый термический отжиг (БТО), затем снятие оксида (прямой порядок), для другой группы – обратный порядок. Установлено, что при прямом порядке термообработки для образцов, изготовленных с дополнительной операцией имплантации N+, происходит увеличение порогового напряжения. При обратном порядке термообработки существенных различий в величине порогового напряжения для образцов, созданных с дополнительной имплантацией азота, и контрольных не наблюдается. Показано, что в диапазоне напряжений V G = 0…−0,3 В ток стока образцов, изготовленных с применением прямого порядка термообработки, выше, чем для контрольных образцов, а при обратном порядке термообработки − ниже. Полученные результаты объясняются различием в процессах генерации, трансформации и отжига радиационных дефектов на границе раздела Si/SiO2 при прямом и обратном режимах БТО