Logo BSU

Просмотр "2020. Материалы и структуры современной электроники" По дате выпуска

Выберите:
Результаты 1 - 20 из 112  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]-
2020Особенности изучения спин-зависимых электронных состояний и процессов в курсе лекций «Спинтроника» и проведении лабораторных работГоловчук, В. И.; Лукашевич, М. Г.
2020Оптические свойства мультиферроиков Bi0.80Gd0.20-xLaxFeO3Макоед, И. И.; Римский, Г. С.; Янушкевич, К. И.
2020О некоторых аспектах математического моделирования взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишеньюСтепович, М. А.; Калманович, В. В.; Серегина, Е. В.
2020Структура и свойства газочувствительной композиции оксида вольфрама с графеномХорт, А. А.; Савицкий, А. А.; Гайдук, Ю. С.; Лапчук, Н. М.; Усенко, А. Е.; Паньков, В. В.
2020Near-edge optical anisotropy in SnSe single crystalsZalamai, V. V.; Tiron, A. V.; Rusu, E. V.; Monaico, E. V.; Syrbu, N. N.
2020Approaches to simulation of interaction of concentrated solar radiation with materialsPayzullakhanov, M. S.; Shermatov, Zh. Z.; Nodirmatov, E. Z.; Rajamatov, O. T.; Ernazarov, F. N.; Sulaimanov, M. T.; Nurmatov, F.; Makhmudov, Sh. Y.; Cherenda, N. N.
2020Структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 в солнечных элементахБородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.; Мудрый, А. В.; Сулимов, М. А.; Могильников, И. А.; Якушев, М. В.
2020Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантамиВабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2020Парамагнитные свойства НРНТ алмазов после облучения ускоренными электронами и отжигаАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Колесникова, А. В.
2020Динамика образования оксида алюминия воздействием на алюминиевую поверхность лазерными импульсамиПатапович, М. П.; Зажогин, А. П.; Акулич, В. А.; Малец, М. А.
2020Формирование полупроводниковых приборов с диодами Шоттки с использованием быстрой термообработкиСоловьёв, Я. А.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Жигулин, Д. В.; Ацецкая, Е. С.; Сарычев, О. Э.
2020Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методомТявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучковТелеш, Е. В.
2020The luminescence center with ZPL at 468 nm in CVD diamondsZaitsev, A. M.; Kazuchits, N. M.; Moe, K. S.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Повышение эффективности солнечного элемента за счет комбинации нескольких типов преобразования энергииМоскальков, К. М.; Тимошков, Ю. В.; Курмашев, В. И.
2020О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводникаОдринский, А. П.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмыБринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.