Logo BSU

Browsing "2020. Материалы и структуры современной электроники" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Showing results 1 to 20 of 112  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2020Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]-
2020Повышение эффективности солнечного элемента за счет комбинации нескольких типов преобразования энергииМоскальков, К. М.; Тимошков, Ю. В.; Курмашев, В. И.
2020Оптические свойства мультиферроиков Bi0.80Gd0.20-xLaxFeO3Макоед, И. И.; Римский, Г. С.; Янушкевич, К. И.
2020Влияние ультразвука на водородный показатель воды, используемой в технологии микро- и наноэлектроникиЛукьяница, В. В.
2020Investigation of the parameters of localized electronic states in porous anodic aluminum oxide formed in phosphoric acidVrublevsky, I. A.; Chernyakova, K. V.; Lushpa, N. V.; Pham, G. V.; Tran, D. L.; Dinh, H. T.; Nguyen, T. L.
2020Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методомТявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучковТелеш, Е. В.
2020Динамика образования оксида алюминия воздействием на алюминиевую поверхность лазерными импульсамиПатапович, М. П.; Зажогин, А. П.; Акулич, В. А.; Малец, М. А.
2020О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводникаОдринский, А. П.
2020Формирование полупроводниковых приборов с диодами Шоттки с использованием быстрой термообработкиСоловьёв, Я. А.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Жигулин, Д. В.; Ацецкая, Е. С.; Сарычев, О. Э.
2020Структура и свойства газочувствительной композиции оксида вольфрама с графеномХорт, А. А.; Савицкий, А. А.; Гайдук, Ю. С.; Лапчук, Н. М.; Усенко, А. Е.; Паньков, В. В.
2020Approaches to simulation of interaction of concentrated solar radiation with materialsPayzullakhanov, M. S.; Shermatov, Zh. Z.; Nodirmatov, E. Z.; Rajamatov, O. T.; Ernazarov, F. N.; Sulaimanov, M. T.; Nurmatov, F.; Makhmudov, Sh. Y.; Cherenda, N. N.
2020Развитие в Беларуси практико-ориентированного образования в области моделирования сложных физических системФедотов, А. К.
2020Исследование влияния приповерхностного дефектного слоя сапфировых подложек на устройства микроэлектроникиКлунникова, Ю. В.; Малюков, С. П.; Филимонов, А. В.
2020Доминирующие механизмы токов утечки электрореологической жидкости с нанокристаллическим ортофосфатом алюминияКоробко, Е. В.; Новикова, З. А.
2020Перенос заряда в структуре оксид титана/кремний при облучении солнечным светомКурапцова, А. А.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020Near-edge optical anisotropy in SnSe single crystalsZalamai, V. V.; Tiron, A. V.; Rusu, E. V.; Monaico, E. V.; Syrbu, N. N.
2020Модификация кристаллической структуры меди при ее неразрушающей лазерной обработкеВасильев, С. В.; Иванов, А. Ю.; Ситкевич, А. Л.