Logo BSU

Просмотр "2020. Материалы и структуры современной электроники" По дате выпуска

Выберите:
Результаты 1 - 20 из 112  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Approaches to simulation of interaction of concentrated solar radiation with materialsPayzullakhanov, M. S.; Shermatov, Zh. Z.; Nodirmatov, E. Z.; Rajamatov, O. T.; Ernazarov, F. N.; Sulaimanov, M. T.; Nurmatov, F.; Makhmudov, Sh. Y.; Cherenda, N. N.
2020Повышение эффективности солнечного элемента за счет комбинации нескольких типов преобразования энергииМоскальков, К. М.; Тимошков, Ю. В.; Курмашев, В. И.
2020Оптические свойства мультиферроиков Bi0.80Gd0.20-xLaxFeO3Макоед, И. И.; Римский, Г. С.; Янушкевич, К. И.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020О некоторых аспектах математического моделирования взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишеньюСтепович, М. А.; Калманович, В. В.; Серегина, Е. В.
2020Структура и свойства газочувствительной композиции оксида вольфрама с графеномХорт, А. А.; Савицкий, А. А.; Гайдук, Ю. С.; Лапчук, Н. М.; Усенко, А. Е.; Паньков, В. В.
2020Near-edge optical anisotropy in SnSe single crystalsZalamai, V. V.; Tiron, A. V.; Rusu, E. V.; Monaico, E. V.; Syrbu, N. N.
2020Динамика образования оксида алюминия воздействием на алюминиевую поверхность лазерными импульсамиПатапович, М. П.; Зажогин, А. П.; Акулич, В. А.; Малец, М. А.
2020О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводникаОдринский, А. П.
2020Формирование полупроводниковых приборов с диодами Шоттки с использованием быстрой термообработкиСоловьёв, Я. А.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Жигулин, Д. В.; Ацецкая, Е. С.; Сарычев, О. Э.
2020Моделирование структуры р–n+-перехода в декартовой и цилиндрической системах координатЛагунович, Н. Л.
2020Ультразвуковая пайка бессвинцовыми припоями при монтаже солнечных батарейЛанин, В. Л.; Буй, Д. К.
2020Влияние ультразвука на водородный показатель воды, используемой в технологии микро- и наноэлектроникиЛукьяница, В. В.
2020Investigation of the parameters of localized electronic states in porous anodic aluminum oxide formed in phosphoric acidVrublevsky, I. A.; Chernyakova, K. V.; Lushpa, N. V.; Pham, G. V.; Tran, D. L.; Dinh, H. T.; Nguyen, T. L.
2020Technologies of electrochemical deposition of metals on a semiconductor wafer of various mems microformsTimoshkov, Y. V.; Khanko, A. V.; Kurmashev, V. I.
2020Grating-gate high electron mobility transistors for terahertz modulationLandgrebe-Christiansen, A.; Schunck, J. N.; Popok, V. N.
2020Кинетика сорбции водяных паров металлорганическими координационными полимерами, модифицированными полиэлектролитной оболочкойШутова, Т. Г.; Ливонович, К. С.; Паньков, В. В.
2020Гетероэпитаксиальные пленки нитрида галлия на пористом кремнииДолгий, А. Л.; Писаренко, Н. С.; Бондаренко, В. П.
2020Экологические аспекты оптимизации физических свойств аморфных сплавов для их применения в современной электроникеЦареградская, Т. Л.; Плющай, И. В.; Турков, О. В.; Каленик, А. А.; Плющай, А. И.