Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257272| Заглавие документа: | Моделирование структуры р–n+-перехода в декартовой и цилиндрической системах координат |
| Другое заглавие: | р–n+-junction structure simulation in Cartesian and cylindrical coordinate systems / N. L. Lagunovich |
| Авторы: | Лагунович, Н. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 77-81. |
| Аннотация: | Разработаны программы для одно-, двух- и трёхмерного моделирований технологических процессов изготовления и измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборных структур. Сравнительный анализ результатов моделирования показал, что для рассматриваемого p–n + -перехода разница в значениях технологических и электрофизических параметров при расчётах в декартовой и цилиндрической системах координат незначительна и ею можно пренебречь. Следовательно, рассматриваемую структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности |
| Аннотация (на другом языке): | Consequently programs for one-, two- and three-dimensional simulation of manufacturing processes and volt-ampere characteristics of semiconductor device structures were developed. The main aim of this work was to perform two-dimensional modeling of a p–n + -type junction in silicon in both Cartesian (rectangular) and cylindrical coordinate systems. The comparative analysis of simulation results showed that for the considered p–n + -junction the difference in the values of technological and electrophysical parameters for calculating in Cartesian and cylindrical coordinate systems is insignificant and can be ignored. Therefore, the structure under consideration can be modeled in both coordinate systems with the sufficiently fine precision |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257272 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.