Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257272Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лагунович, Н. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:10Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:10Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 77-81. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257272 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Разработаны программы для одно-, двух- и трёхмерного моделирований технологических процессов изготовления и измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборных структур. Сравнительный анализ результатов моделирования показал, что для рассматриваемого p–n + -перехода разница в значениях технологических и электрофизических параметров при расчётах в декартовой и цилиндрической системах координат незначительна и ею можно пренебречь. Следовательно, рассматриваемую структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование структуры р–n+-перехода в декартовой и цилиндрической системах координат | |
| dc.title.alternative | р–n+-junction structure simulation in Cartesian and cylindrical coordinate systems / N. L. Lagunovich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Consequently programs for one-, two- and three-dimensional simulation of manufacturing processes and volt-ampere characteristics of semiconductor device structures were developed. The main aim of this work was to perform two-dimensional modeling of a p–n + -type junction in silicon in both Cartesian (rectangular) and cylindrical coordinate systems. The comparative analysis of simulation results showed that for the considered p–n + -junction the difference in the values of technological and electrophysical parameters for calculating in Cartesian and cylindrical coordinate systems is insignificant and can be ignored. Therefore, the structure under consideration can be modeled in both coordinate systems with the sufficiently fine precision | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.