Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257278
Title: Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора
Other Titles: Influence of the band gap on the temperature dependence of the gain coefficient of a bipolar n-p-n-transistor / V. B. Odzaev, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, V. S. Prosolovich, V. A. Filipenia, D. V. Shestovski, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski
Authors: Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н.
Пилипенко, В. А.
Просолович, В. С.
Филипеня, В. А.
Шестовский, Д. В.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 97-102.
Abstract: Исследованы температурные зависимости статического коэффициента усиления по току (β) биполярных n-p-n-транзисторов, сформированных по аналогичным технологическим маршрутам (серии А и В), в интервале температур 20–125 °С. Содержание технологических примесей в приборах серии А было ниже предела обнаружения методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения (по Fe < 4.0·10 9 ат/см2). В приборах серии В вся поверхность пластин была покрыта слоем Fe со средней концентрацией 3.4·10 11 ат/см2, наблюдались также пятна Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn. Установлено, что в приборах обеих серий при среднем уровне тока коллектора (1.0·10-6 < Ic < 1.0·10-3 A), величина β и его температурная зависимость определяются эффективностью эмиттера и температурным изменением ширины запрещенной зоны кремния. При низком уровне инжекции (Ic < 1.0·10-6 A) на величину β и его температурную зависимость для приборов серии В существенное влияние оказывает высокая концентрация технологических примесей. Для приборов серии А при Ic < 10-6 A температурная зависимость β практически не отличается от аналогичной зависимости для среднего уровня инжекции
Abstract (in another language): The temperature dependences of the static current gain (β) of bipolar n-p-n-transistors formed by similar process flow (series A and B) in the temperature range of 20–125° С have been investigated. The content of technological impurities in the A series devices was below the detection limit by the TXRF method (for Fe < 4.0·10 9 at/cm2). In series B devices, the entire surface of the wafers was covered with an Fe layer with an average concentration of 3.4·10 11 at/cm2; Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, and Zn spots were also observed. It was found that in devices of both series, at an average collector current (1.0·10-6 < Ic < 1.0·10-3 A), the value of β and its temperature dependence are determined by the emitter efficiency and the temperature change in the silicon band gap. At a low injection level (Ic < 1.0·10-6 A), the value of β and its temperature dependence for B series devices is significantly influenced by a high concentration of technological impurities. For series A devices at Ic < 10-6 A, the temperature dependence of β practically does not differ from the analogous dependence for the middle injection level
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257278
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
97-102.pdf885,25 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.