Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257279| Заглавие документа: | О механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника |
| Другое заглавие: | About the mechanism of electric heterogeneity formation in the crystal of ferroelectric-semiconductor / A. P. Odrinsky |
| Авторы: | Одринский, А. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 103-107. |
| Аннотация: | Рассматривается вопрос участия глубокоуровневых дефектов как центров локализации заряда в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника. Описаны условия эксперимента, позволившего уточнить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2. Показано доминирующее влияние в развитии аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение фотогальванической эдс, ответственной за нарушение локальной электронейтральности кристалла |
| Аннотация (на другом языке): | The question of participation deep level defects as centers of charge localization in formation of electric heterogeneity of the layered ferroelectric-semiconductor crystal is examined. The experimental conditions that allowed specifying the mechanism of electric heterogeneity formation of the TlGaSe2 crystal are described. The dominate influencing of a photo galvanic emf in development of abnormal reaction under a crystal photo excitation was been shown, that is responsible for a breaking of local electro neutrality of crystal |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257279 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 103-107.pdf | 607,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.