Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257279
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОдринский, А. П.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 103-107.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257279-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractРассматривается вопрос участия глубокоуровневых дефектов как центров локализации заряда в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника. Описаны условия эксперимента, позволившего уточнить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2. Показано доминирующее влияние в развитии аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение фотогальванической эдс, ответственной за нарушение локальной электронейтральности кристалла
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleО механизме формирования электрической неоднородности кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника
dc.title.alternativeAbout the mechanism of electric heterogeneity formation in the crystal of ferroelectric-semiconductor / A. P. Odrinsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe question of participation deep level defects as centers of charge localization in formation of electric heterogeneity of the layered ferroelectric-semiconductor crystal is examined. The experimental conditions that allowed specifying the mechanism of electric heterogeneity formation of the TlGaSe2 crystal are described. The dominate influencing of a photo galvanic emf in development of abnormal reaction under a crystal photo excitation was been shown, that is responsible for a breaking of local electro neutrality of crystal
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
103-107.pdf607,89 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.