Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257295| Заглавие документа: | Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах SiGe, обработанных в водородной плазме |
| Другое заглавие: | Raman bands shifting in SiGe solid solutions treated in hydrogen plasma / A. V. Giro, A. N. Petukh, Yu. М. Pokotiliо, О. V. Кorolik |
| Авторы: | Гиро, А. В. Петух, А. Н. Покотило, Ю. М. Королик, О. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 171-174. |
| Аннотация: | Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) исследовались плёнки твёрдых растворов кремний-германий с различным компонентным составом, которые подвергались обработке в водородной плазме и последующей термообработке при 275 °С. Было обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к сдвигу полос Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge в спектре КРС в сторону более низких частот. Полосы Si-H, наблюдаемые в чистом кремнии, не наблюдаются в спектрах твёрдых растворов кремний-германий |
| Аннотация (на другом языке): | Silicon-germanium solid solution films with different compositions, treated in hydrogen plasma and also heat-treated at 275 °C, were studied by Raman spectroscopy. It was found that treatment in hydrogen plasma leads to a shift of the Si-Si, Ge-Ge and Si-Ge bands in the Raman spectrum towards lower frequencies. The Si-H bands observed in pure silicon are not observed in the spectra of silicon-germanium solid solutions |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257295 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 171-174.pdf | 467,05 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.