Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257295Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гиро, А. В. | |
| dc.contributor.author | Петух, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | |
| dc.contributor.author | Королик, О. В. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 171-174. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257295 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) исследовались плёнки твёрдых растворов кремний-германий с различным компонентным составом, которые подвергались обработке в водородной плазме и последующей термообработке при 275 °С. Было обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к сдвигу полос Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge в спектре КРС в сторону более низких частот. Полосы Si-H, наблюдаемые в чистом кремнии, не наблюдаются в спектрах твёрдых растворов кремний-германий | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах SiGe, обработанных в водородной плазме | |
| dc.title.alternative | Raman bands shifting in SiGe solid solutions treated in hydrogen plasma / A. V. Giro, A. N. Petukh, Yu. М. Pokotiliо, О. V. Кorolik | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Silicon-germanium solid solution films with different compositions, treated in hydrogen plasma and also heat-treated at 275 °C, were studied by Raman spectroscopy. It was found that treatment in hydrogen plasma leads to a shift of the Si-Si, Ge-Ge and Si-Ge bands in the Raman spectrum towards lower frequencies. The Si-H bands observed in pure silicon are not observed in the spectra of silicon-germanium solid solutions | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 171-174.pdf | 467,05 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.