Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257291
Заглавие документа: Структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 в солнечных элементах
Другое заглавие: Structural and optical characteristics of basic absorbing layers of Cu(In,Ga)(S,Se)2 solid solutions in solar cells / O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. A. Sulimov, I. A. Mogilnikov, M. V. Yakushev
Авторы: Бородавченко, О. М.
Живулько, В. Д.
Мудрый, А. В.
Сулимов, М. А.
Могильников, И. А.
Якушев, М. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 149-155.
Аннотация: Микроструктура поверхности и размеры нанокристаллических зерен тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se) 2 в структуре солнечных элементов исследовались с использованием сканирующей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа. По спектрам фотолюминесценции и спектрам возбуждения люминесценции определена оптическая ширина запрещенной зоны поглощающего слоя Cu(In,Ga)(S,Se)2 солнечных элементов, которая составила Eg ~ 1.122 эВ при температуре ~ 4.2 K
Аннотация (на другом языке): The surface microstructure and sizes of Cu(In,Ga)(S,Se) 2 nanocrystalline solid solutions in solar cells have been studied using scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The photoluminescence and luminescence excitation spectra were used to determine the optical band gap of Eg ~ 1.122 eV at ~ 4.2 K for the solid solutions
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257291
ISBN: 978-985-881-073-3
Финансовая поддержка: Работа выполнена по проекту БРФФИ Ф20М – 058 и Государственного задания Минобрнауки России («Спин» № АААА-А18-118020290104-2)
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
149-155.pdf616,91 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.