Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257305
Заглавие документа: Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуре
Другое заглавие: Influence of isotopic composition of natural silicon on local vibrational odes of vacancy-oxygen complex at room temperature / E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin
Авторы: Толкачева, Е. А.
Маркевич, В. П.
Мурин, Л. И.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 209-210.
Аннотация: Изотопный состав природного кремния (28Si (92,23 %), 29Si (4,68 %) И 30Si (3,09 %)) оказывает заметное влияние на форму полос ИК поглощения, обусловленных примесными атомами кислорода. В настоящей работе предпринята попытка определить положение локальных колебательных мод ЛКМ, обусловленных квазимолекулами 28Si-16OS-29Si и 28Si-16OS-30Si (OS –атом кислорода в узле решетки), для спектров поглощения, измеренных при комнатной температуре. Проведена оценка изотопических сдвигов соответствующих мод путем подгонки формы полосы поглощения для комплекса вакансия-кислород (А-центр) в облученных кристаллах Si. Изотопические сдвиги ЛКМ равны 2,2±0,25 см-1 для 28Si-16OS-29Si и 4,3±0,9 см-1 для 28Si-16OS-30Si по отношению к полосе 28Si-16OS-28Si, а полуширина полосы поглощения А-центра (28Si-16OS-28Si) составляет 5,3±0,25 см-1
Аннотация (на другом языке): Isotopic content of natural silicon (28Si (92,23 %), 29Si (4,68 %) и 30Si (3,09 %)) affects noticeably the shape of IR absorption bands related to the oxygen impurity atoms. In the present work an attempt is undertaken to determine the positions of LVMs, related to quasimolecules 28Si-16OS-29Si and 28Si-16OS-30Si (OS - substitutional oxygen atom), for the absorption spectra measured at room temperature. An estimation of the isotopic shifts of corresponding modes in a semi empirical way has been done by the fitting the shape of the experimentally measured absorption band related to the vacancy-oxygen center in irradiated Si crystals. The LVM isotope shifts are found to be equal 2,2±0,25 см-1 for 28Si-16OS-29Si and 4,3±0,9 см-1 for 28Si-16OS-30Si in relation to the basic band 28Si-16OS-28Si, and the full width at half maximum of the A-center absorption band (28Si-16OS-28Si) is 5,3±0,25 cm-1
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257305
ISBN: 978-985-881-073-3
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
209-210.pdf405,64 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.