Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуре

Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257305

Title:	Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуре
Other Titles:	Influence of isotopic composition of natural silicon on local vibrational odes of vacancy-oxygen complex at room temperature / E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin
Authors:	Толкачева, Е. А. Маркевич, В. П. Мурин, Л. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 209-210.
Abstract:	Изотопный состав природного кремния (28Si (92,23 %), 29Si (4,68 %) И 30Si (3,09 %)) оказывает заметное влияние на форму полос ИК поглощения, обусловленных примесными атомами кислорода. В настоящей работе предпринята попытка определить положение локальных колебательных мод ЛКМ, обусловленных квазимолекулами 28Si-16OS-29Si и 28Si-16OS-30Si (OS –атом кислорода в узле решетки), для спектров поглощения, измеренных при комнатной температуре. Проведена оценка изотопических сдвигов соответствующих мод путем подгонки формы полосы поглощения для комплекса вакансия-кислород (А-центр) в облученных кристаллах Si. Изотопические сдвиги ЛКМ равны 2,2±0,25 см-1 для 28Si-16OS-29Si и 4,3±0,9 см-1 для 28Si-16OS-30Si по отношению к полосе 28Si-16OS-28Si, а полуширина полосы поглощения А-центра (28Si-16OS-28Si) составляет 5,3±0,25 см-1
Abstract (in another language):	Isotopic content of natural silicon (28Si (92,23 %), 29Si (4,68 %) и 30Si (3,09 %)) affects noticeably the shape of IR absorption bands related to the oxygen impurity atoms. In the present work an attempt is undertaken to determine the positions of LVMs, related to quasimolecules 28Si-16OS-29Si and 28Si-16OS-30Si (OS - substitutional oxygen atom), for the absorption spectra measured at room temperature. An estimation of the isotopic shifts of corresponding modes in a semi empirical way has been done by the fitting the shape of the experimentally measured absorption band related to the vacancy-oxygen center in irradiated Si crystals. The LVM isotope shifts are found to be equal 2,2±0,25 см-1 for 28Si-16OS-29Si and 4,3±0,9 см-1 for 28Si-16OS-30Si in relation to the basic band 28Si-16OS-28Si, and the full width at half maximum of the A-center absorption band (28Si-16OS-28Si) is 5,3±0,25 cm-1
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257305
ISBN:	978-985-881-073-3
Appears in Collections:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
209-210.pdf		405,64 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar