Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257292| Заглавие документа: | Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмы |
| Другое заглавие: | Frustrated total internal reflection spectra of diazoquinone-novolac photoresist films implanted with antimony ions / D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, V. S. Prosolovich, Y. M. Yankouski |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Бринкевич, С. Д. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 155-161. |
| Аннотация: | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы радиационно-индуцированные процессы, протекающие при имплантации ионов Sb+ в пленки фоторезиста ФП 9120 на кремнии. Установлено, что ионная имплантация приводит к появлению в спектре полосы при 2331 см-1 , обусловленной валентными колебаниями О=С=О. Нарушение адгезии на границе раздела фоторезист/Si проявляется в появлении полосы 610 см-1 , связанной с решеточным поглощением кремния. Обнаружено образование новых С–О–С связей в результате эфирных сшивок кетена с ОН-группой новолачной смолы. Имплантации ионов Sb+ приводит к снижению интенсивности полосы, обусловленной валентными колебаниями С–О связей в феноксильной группе |
| Аннотация (на другом языке): | Radiation-induced processes occurring during the implantation of Sb+ ions into FP 9120 photoresist films on silicon have been investigated by FTIR spectroscopy. It was found that ion implantation leads to the appearance in the spectrum of a band at 2331 cm-1 , caused by stretching vibrations of O=C=O. Disruption of adhesion at the photoresist/Si interface manifests itself in the appearance of a 610 cm-1 band associated with lattice absorption of Si. The formation of new C–O–C bonds as a result of ether cross-links of ketene with the OH-group of novolac resin was found. The implantation of Sb+ ions leads to a decrease in the intensity of the band caused by the stretching vibrations of C–O bonds in the phenoxyl group |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257292 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 155-161.pdf | 623,46 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.