Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257292Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Бринкевич, С. Д. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 155-161. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257292 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы радиационно-индуцированные процессы, протекающие при имплантации ионов Sb+ в пленки фоторезиста ФП 9120 на кремнии. Установлено, что ионная имплантация приводит к появлению в спектре полосы при 2331 см-1 , обусловленной валентными колебаниями О=С=О. Нарушение адгезии на границе раздела фоторезист/Si проявляется в появлении полосы 610 см-1 , связанной с решеточным поглощением кремния. Обнаружено образование новых С–О–С связей в результате эфирных сшивок кетена с ОН-группой новолачной смолы. Имплантации ионов Sb+ приводит к снижению интенсивности полосы, обусловленной валентными колебаниями С–О связей в феноксильной группе | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами сурьмы | |
| dc.title.alternative | Frustrated total internal reflection spectra of diazoquinone-novolac photoresist films implanted with antimony ions / D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, V. S. Prosolovich, Y. M. Yankouski | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Radiation-induced processes occurring during the implantation of Sb+ ions into FP 9120 photoresist films on silicon have been investigated by FTIR spectroscopy. It was found that ion implantation leads to the appearance in the spectrum of a band at 2331 cm-1 , caused by stretching vibrations of O=C=O. Disruption of adhesion at the photoresist/Si interface manifests itself in the appearance of a 610 cm-1 band associated with lattice absorption of Si. The formation of new C–O–C bonds as a result of ether cross-links of ketene with the OH-group of novolac resin was found. The implantation of Sb+ ions leads to a decrease in the intensity of the band caused by the stretching vibrations of C–O bonds in the phenoxyl group | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 155-161.pdf | 623,46 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.