Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257293
Title: Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами
Other Titles: Adhesion and strength properties of diazoquinone-novolach photoresist films on silicon, irradiated with gamma-quanta / S. A. Vabishchevich, D. I. Brinkevich, N. V. Vabishchevich, V. S. Prosolovich, Y. M. Yankouski
Authors: Вабищевич, С. А.
Бринкевич, Д. И.
Вабищевич, Н. В.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 161-166.
Abstract: Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист ФП 9120–кремний, облученные γ-квантами 60Со дозами до 300 кГр. Облучение γ-квантами приводит к снижению микротвердости структур фоторезист-кремний при нагрузках 5 г и выше, что связано с ухудшением адгезии пленки диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 к кремнию после γ-облучения. Удельная энергия отслаивания пленок фоторезиста толщиной 1,0 мкм снижается после облучения γ-квантами в 1,5–4 раза, что обусловлено, вероятнее всего, разрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист-кремний. Заметные изменения прочностных и адгезионных свойств структур фоторезист-кремний наблюдались при дозах γ-квантов свыше 200 кГр
Abstract (in another language): Photoresist FP9120 – silicon structures irradiated with 60Co γ-quanta at doses up to 300 kGy were studed by the microindentation method. Irradiation with γ-quanta leads to a decrease in the microhardness of the photoresist-silicon structures at loads of 5 g andhigher. This is due to the deterioration in the adhesion of the film of diazoquinone-novolac photoresist FP 9120 to silicon after γ-irradiation. The specific peeling energy of the 1.0 μm thick photoresist films decreases after irradiation with γ quanta by a factor of 1.5–4, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist–silicon interface. Changes in the strength and adhesive properties of the photoresist-silicon structures were observed at doses of γ-quanta above 200 kGy
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257293
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
161-166.pdf665,34 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.