Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами

Abstract

Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист ФП 9120–кремний, облученные γ-квантами 60Со дозами до 300 кГр. Облучение γ-квантами приводит к снижению микротвердости структур фоторезист-кремний при нагрузках 5 г и выше, что связано с ухудшением адгезии пленки диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 к кремнию после γ-облучения. Удельная энергия отслаивания пленок фоторезиста толщиной 1,0 мкм снижается после облучения γ-квантами в 1,5–4 раза, что обусловлено, вероятнее всего, разрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист-кремний. Заметные изменения прочностных и адгезионных свойств структур фоторезист-кремний наблюдались при дозах γ-квантов свыше 200 кГр