Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257290
Заглавие документа: Парамагнитные свойства НРНТ алмазов после облучения ускоренными электронами и отжига
Другое заглавие: Paramagnetic properties of HPHT diamonds after irradiation with accelerated electrons and annealing / I. I. Azarko, I. A. Karpovich, O. V. Ignatenko, A. V. Konovalova, A. V. Kolesnikova
Авторы: Азарко, И. И.
Карпович, И. А.
Игнатенко, О. В.
Коновалова, А. В.
Колесникова, А. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 146-149.
Аннотация: Изучено влияние облучения ускоренными электронами с энергией 6 МэВ и последующего отжига на парамагнитные свойства пластинок алмаза, вырезанных из кристаллов, синтезированных методом НРНТ в системах Fe-Ni–С. Установлено, что для всех исследованных образцов наблюдается рост интенсивности сигнала C-дефекта уже при флюенсе 1,5·10 17 эл/см2, а также сигналов, ответственных за наличие примесного никеля. Спектры ЭПР облученных электронами пластинок алмаза после вакуумного отжига вернулись к исходным значениям
Аннотация (на другом языке): The effect of the fluence of accelerated electrons with an energy of 6 MeV on the paramagnetic properties of diamond crystals synthesized by the HPHT method in the Fe – Ni – C was studied. It was found that for diamonds, a sharp increase in the intensity of the signal from the C-defect was observed at a fluence of 1.5·10 17 el/cm2, as well as a change in the saturation power for the central signal component
Доп. сведения: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257290
ISBN: 978-985-881-073-3
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
146-149.pdf405,55 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.