Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300
Title: Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителях
Other Titles: Radiation effects in silicon photoelectron multipliers / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, A. V. Ket’ko, S. B. Lastovskij, A. M. Lemeshevskaja, V. S. Tsymbal
Authors: Огородников, Д. А.
Богатырев, Ю. В.
Кетько, А. В.
Ластовский, С. Б.
Лемешевская, А. М.
Цымбал, В. С.
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 189-192.
Abstract: Представлены результаты экспериментальных исследований токовых параметров малогабаритных кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si ФЭУ) при воздействии гамма-излучения Со60 . Установлено, что наиболее сильные изменения в результате облучения наблюдаются для обратной вольтамперной характеристики образцов Si ФЭУ, облучаемых в активном электрическом режиме
Abstract (in another language): Effects of experimental researches of current parameters of small-sized silicon photoelectron multipliers under the influence of Co60 gamma radiation are presented. It was found that the strongest changes as a result of an irradiation are observed for a reverse current-voltage characteristic of samples Si photoelectron multipliers irradiated in the active electrical mode
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
189-192.pdf478,66 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.