Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300
Заглавие документа: | Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителях |
Другое заглавие: | Radiation effects in silicon photoelectron multipliers / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, A. V. Ket’ko, S. B. Lastovskij, A. M. Lemeshevskaja, V. S. Tsymbal |
Авторы: | Огородников, Д. А. Богатырев, Ю. В. Кетько, А. В. Ластовский, С. Б. Лемешевская, А. М. Цымбал, В. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 189-192. |
Аннотация: | Представлены результаты экспериментальных исследований токовых параметров малогабаритных кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si ФЭУ) при воздействии гамма-излучения Со60 . Установлено, что наиболее сильные изменения в результате облучения наблюдаются для обратной вольтамперной характеристики образцов Si ФЭУ, облучаемых в активном электрическом режиме |
Аннотация (на другом языке): | Effects of experimental researches of current parameters of small-sized silicon photoelectron multipliers under the influence of Co60 gamma radiation are presented. It was found that the strongest changes as a result of an irradiation are observed for a reverse current-voltage characteristic of samples Si photoelectron multipliers irradiated in the active electrical mode |
Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300 |
ISBN: | 978-985-881-073-3 |
Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
189-192.pdf | 478,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.