Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Кетько, А. В. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Лемешевская, А. М. | |
| dc.contributor.author | Цымбал, В. С. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:15Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:15Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 189-192. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257300 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты экспериментальных исследований токовых параметров малогабаритных кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si ФЭУ) при воздействии гамма-излучения Со60 . Установлено, что наиболее сильные изменения в результате облучения наблюдаются для обратной вольтамперной характеристики образцов Si ФЭУ, облучаемых в активном электрическом режиме | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителях | |
| dc.title.alternative | Radiation effects in silicon photoelectron multipliers / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, A. V. Ket’ko, S. B. Lastovskij, A. M. Lemeshevskaja, V. S. Tsymbal | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Effects of experimental researches of current parameters of small-sized silicon photoelectron multipliers under the influence of Co60 gamma radiation are presented. It was found that the strongest changes as a result of an irradiation are observed for a reverse current-voltage characteristic of samples Si photoelectron multipliers irradiated in the active electrical mode | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 189-192.pdf | 478,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.