Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257283| Заглавие документа: | Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучков |
| Другое заглавие: | Formation of thin-film SiOF / Si structures by direct deposition from ion beams / E. V. Telesh |
| Авторы: | Телеш, Е. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 122-125. |
| Аннотация: | Исследовано влияние состава рабочего газа и температуры подложки на электрофизические характеристики структур SiOF/Si, полученных прямым осаждением из ионных пучков моносилана, кислорода и хладона-14. Установлено, что увеличение парциального давления хладона-14 привело к существенному уменьшению диэлектрической проницаемости. Повышение температуры подложки привело к росту диэлектрической проницаемости, это может быть связано с десорбцией фтора из покрытия. Анализ ИК спектров пропускания показал, что нагрев подложки привел к снижению интенсивности полосы поглощения фторида кремния и к увеличению поглощения на связях С–О и О=С=О |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of the composition of the working gas and the substrate temperature on the electrophysical characteristics of SiOF / Si structures obtained by direct deposition from ion beams of monosilane, oxygen, and freon-14 is studied. It was found that an increase in the partial pressure of freon-14 led to a significant decrease in the dielectric constant. An increase in the substrate temperature led to an increase in the dielectric constant, which may be due to the desorption of fluorine from the coating. Analysis of IR transmission spectra showed that heating of the substrate led to a decrease in the intensity of the absorption band of silicon fluoride and to an increase in absorption at the C–O and O=C=O bonds |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257283 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 122-125.pdf | 526,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.