Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257283| Title: | Формирование тонкопленочных структур SiOF / Si прямым осаждением из ионных пучков |
| Other Titles: | Formation of thin-film SiOF / Si structures by direct deposition from ion beams / E. V. Telesh |
| Authors: | Телеш, Е. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 122-125. |
| Abstract: | Исследовано влияние состава рабочего газа и температуры подложки на электрофизические характеристики структур SiOF/Si, полученных прямым осаждением из ионных пучков моносилана, кислорода и хладона-14. Установлено, что увеличение парциального давления хладона-14 привело к существенному уменьшению диэлектрической проницаемости. Повышение температуры подложки привело к росту диэлектрической проницаемости, это может быть связано с десорбцией фтора из покрытия. Анализ ИК спектров пропускания показал, что нагрев подложки привел к снижению интенсивности полосы поглощения фторида кремния и к увеличению поглощения на связях С–О и О=С=О |
| Abstract (in another language): | The effect of the composition of the working gas and the substrate temperature on the electrophysical characteristics of SiOF / Si structures obtained by direct deposition from ion beams of monosilane, oxygen, and freon-14 is studied. It was found that an increase in the partial pressure of freon-14 led to a significant decrease in the dielectric constant. An increase in the substrate temperature led to an increase in the dielectric constant, which may be due to the desorption of fluorine from the coating. Analysis of IR transmission spectra showed that heating of the substrate led to a decrease in the intensity of the absorption band of silicon fluoride and to an increase in absorption at the C–O and O=C=O bonds |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257283 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 122-125.pdf | 526,29 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.