Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257296| Заглавие документа: | Первопринципное исследование взаимодействия краевой дислокации с примесными атомами меди в кремнии |
| Другое заглавие: | First principle calculation of interaction of the edge dislocation with cuprum impurities in silicon / T. V. Gorkavenko, I. V. Plyushchay, O. I. Plyushchay |
| Авторы: | Горкавенко, Т. В. Плющай, И. В. Плющай, А. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 174-179. |
| Аннотация: | Проведен первопринципный расчет взаимодействия краевой дислокации с примесными атомами меди вблизи ядра дислокации в суперъячейке из 180 атомов кремния. Расчет проводился методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении с помощью пакета программ ABINIT. Получены кривые взаимодействия примесных атомов меди с краевой дислокацией в кремнии. Установлено равновесное положение примесных атомов вблизи ядра дислокации, рассчитана энергия связи примеси меди с краевой дислокацией. Проанализированы изменения электронной структуры кремния при наличии в суперъячейке диполя из двух краевых дислокаций и примеси меди возле ядра дислокации, а также вариации в зависимости от положения примеси. Было показано, что основной характерной особенностью электронной структуры кремния с данной дефектной структурой является возникновение острого пика в запрещенной зоне на 0,23 эВ выше края валентной зоны. Обсуждена возможность формирования магнитного упорядочения на оборванных связях в ядре краевой дислокации и примесных атомах меди вблизи ядер дислокаций в кремнии |
| Аннотация (на другом языке): | Ab initio calculation of the interaction of the edge dislocation with copper impurity atoms near the dislocation core in a supercell of 180 silicon atoms has been performed. The calculation was carried out by the density functional method in the general gradient approximation using the ABINIT software package. The interaction curve of the copper impurity atoms with the edge dislocation in silicon is obtained. The equilibrium position of impurity atoms near the dislocation core, and the binding energies of copper impurity with an edge dislocation are calculated. Changes in the electronic structure of silicon in the presence of a dipole of two edge dislocations and a copper impurity near the dislocation core in the supercell, as well as variations depending on the position of the impurity, are analyzed. It was shown that the main characteristic feature of the electronic structure of silicon with a given defect structure is the appearance of a sharp peak in the band gap 0.23 eV above the edge of the valence band. The possibility of a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds and Cu impurity atoms in the vicinity of the edge dislocation nucleus has been discussed |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257296 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 174-179.pdf | 582,86 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.