Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257294| Заглавие документа: | Сегрегация углерода и преципитация SiC в упруго-деформированых слоях Si/SiGe(SiSn)/Si |
| Другое заглавие: | Carbon segregation and SiC precipitation in strained layers of Si/SiGe(SiSn)/Si / P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 166-170. |
| Аннотация: | Горячая имплантация ионов углерода в многослойные структуры с упруго-деформированными слоями сплавов SiGe и SiSn, встроенными в Si подложку, приводит к сегрегации примеси с последующим формированием углеродных фаз и карбида кремния. Обнаружено аномальное перераспределение имплантированной примеси вблизи напряженных слоев SiGe(SiSn)/Si, что сопровождается накоплением атомов углерода на стороне Si и истощением на стороне SiGe(SiSn)-слоев. Электронно-микроскопические исследования показали распределенные вдоль границ раздела Si/SiGe пластинчатые дефекты, которые связаны с углеродными фазами, а также фазами карбида кремния |
| Аннотация (на другом языке): | Hot ion implantation of carbon into strained multilayer structures of SiGe and SiSn alloys embedded in a Si substrate results in impurity segregation followed by SiC formation. An anomalous redistribution of the implanted impurity nearby strained SiGe(SiSn)/Si layers is accompanied by the accumulation of carbon atoms on the Si side and depletion on the SiGe (SiSn) side of layers. Dark-field images revieled plate-like defects and thin lamellas distributed along the Si/SiGe interface, which are associated with carbon-related phases and SiC |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257294 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.2.04 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», номер госрегистрации 20190644. |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 166-170.pdf | 1,24 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.