Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257294Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:14Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 166-170. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257294 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Горячая имплантация ионов углерода в многослойные структуры с упруго-деформированными слоями сплавов SiGe и SiSn, встроенными в Si подложку, приводит к сегрегации примеси с последующим формированием углеродных фаз и карбида кремния. Обнаружено аномальное перераспределение имплантированной примеси вблизи напряженных слоев SiGe(SiSn)/Si, что сопровождается накоплением атомов углерода на стороне Si и истощением на стороне SiGe(SiSn)-слоев. Электронно-микроскопические исследования показали распределенные вдоль границ раздела Si/SiGe пластинчатые дефекты, которые связаны с углеродными фазами, а также фазами карбида кремния | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта 3.2.04 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника», номер госрегистрации 20190644. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Сегрегация углерода и преципитация SiC в упруго-деформированых слоях Si/SiGe(SiSn)/Si | |
| dc.title.alternative | Carbon segregation and SiC precipitation in strained layers of Si/SiGe(SiSn)/Si / P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Hot ion implantation of carbon into strained multilayer structures of SiGe and SiSn alloys embedded in a Si substrate results in impurity segregation followed by SiC formation. An anomalous redistribution of the implanted impurity nearby strained SiGe(SiSn)/Si layers is accompanied by the accumulation of carbon atoms on the Si side and depletion on the SiGe (SiSn) side of layers. Dark-field images revieled plate-like defects and thin lamellas distributed along the Si/SiGe interface, which are associated with carbon-related phases and SiC | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 166-170.pdf | 1,24 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.