Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257284| Заглавие документа: | Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом |
| Другое заглавие: | Contactless mapping of iron-in-silicon distribution using a charge-sensitive probe technique / A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin, K. L. Tyavlovsky, K. V. Pantsialeyeu, R. I. Vorobey, A. I. Svistun, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky |
| Авторы: | Тявловский, А. К. Жарин, А. Л. Тявловский, К. Л. Пантелеев, К. В. Воробей, Р. И. Свистун, А. И. Пилипенко, В. А. Петлицкий, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 125-129. |
| Аннотация: | Для определения и картирования примеси железа в кремнии p-типа разработана методика контроля, основанная на использовании методов сканирующей зондовой электрометрии и дополнительных неразрушающих воздействий, таких как освещение поверхности и нагрев полупроводниковой пластины. Приведено краткое описание реализующей методику измерительной установки, показаны примеры получаемых с её помощью результатов. Выполняемые измерения носят полностью бесконтактный и неразрушающий характер, что обеспечивает возможность последующего исследования пластин другими методами либо их возвращения в технологическую линию |
| Аннотация (на другом языке): | To determine and map iron contamination in p-type silicon, a testing technique has been developed based on the use of scanning probe electrometry and additional non-destructive factors, such as surface illumination and low heating of a semiconductor wafer. A brief description of the measuring setup that implements the technique is given, also shown examples of results obtained on real semiconductor wafers. Due to completely contactless and non-destructive mode of operation the investigated wafers could be subsequently studied with other methods or returned into production line |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257284 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 125-129.pdf | 2,06 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.