Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом

Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257284

Title:	Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом
Other Titles:	Contactless mapping of iron-in-silicon distribution using a charge-sensitive probe technique / A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin, K. L. Tyavlovsky, K. V. Pantsialeyeu, R. I. Vorobey, A. I. Svistun, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky
Authors:	Тявловский, А. К. Жарин, А. Л. Тявловский, К. Л. Пантелеев, К. В. Воробей, Р. И. Свистун, А. И. Пилипенко, В. А. Петлицкий, А. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 125-129.
Abstract:	Для определения и картирования примеси железа в кремнии p-типа разработана методика контроля, основанная на использовании методов сканирующей зондовой электрометрии и дополнительных неразрушающих воздействий, таких как освещение поверхности и нагрев полупроводниковой пластины. Приведено краткое описание реализующей методику измерительной установки, показаны примеры получаемых с её помощью результатов. Выполняемые измерения носят полностью бесконтактный и неразрушающий характер, что обеспечивает возможность последующего исследования пластин другими методами либо их возвращения в технологическую линию
Abstract (in another language):	To determine and map iron contamination in p-type silicon, a testing technique has been developed based on the use of scanning probe electrometry and additional non-destructive factors, such as surface illumination and low heating of a semiconductor wafer. A brief description of the measuring setup that implements the technique is given, also shown examples of results obtained on real semiconductor wafers. Due to completely contactless and non-destructive mode of operation the investigated wafers could be subsequently studied with other methods or returned into production line
Description:	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257284
ISBN:	978-985-881-073-3
Appears in Collections:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
125-129.pdf		2,06 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar