Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257284
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТявловский, А. К.
dc.contributor.authorЖарин, А. Л.
dc.contributor.authorТявловский, К. Л.
dc.contributor.authorПантелеев, К. В.
dc.contributor.authorВоробей, Р. И.
dc.contributor.authorСвистун, А. И.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:12Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:12Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 125-129.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257284-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractДля определения и картирования примеси железа в кремнии p-типа разработана методика контроля, основанная на использовании методов сканирующей зондовой электрометрии и дополнительных неразрушающих воздействий, таких как освещение поверхности и нагрев полупроводниковой пластины. Приведено краткое описание реализующей методику измерительной установки, показаны примеры получаемых с её помощью результатов. Выполняемые измерения носят полностью бесконтактный и неразрушающий характер, что обеспечивает возможность последующего исследования пластин другими методами либо их возвращения в технологическую линию
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleБесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом
dc.title.alternativeContactless mapping of iron-in-silicon distribution using a charge-sensitive probe technique / A. K. Tyavlovsky, A. L. Zharin, K. L. Tyavlovsky, K. V. Pantsialeyeu, R. I. Vorobey, A. I. Svistun, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeTo determine and map iron contamination in p-type silicon, a testing technique has been developed based on the use of scanning probe electrometry and additional non-destructive factors, such as surface illumination and low heating of a semiconductor wafer. A brief description of the measuring setup that implements the technique is given, also shown examples of results obtained on real semiconductor wafers. Due to completely contactless and non-destructive mode of operation the investigated wafers could be subsequently studied with other methods or returned into production line
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
125-129.pdf2,06 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.