Электронная библиотека БГУ: 2010. Материалы и структуры современной электроники

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2010. Материалы и структуры современной электроники : [64] Главная страница коллекции Статистика

В сборнике представлены материалы IV Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники». Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий. Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий и может быть полезен аспирантам, магистрантам и студентам физических специальностей вузов.

Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. Науч. конф., Минск, 23–24 сент. 2010 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2010. – 240 с. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество).

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 21 по 40 из 64

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2010	Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге	Васильев, Ю. Б.; Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Гайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.
2010	Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурах	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Карась, В. И.; Малышев, В. С.; Сорока, С. А.; Шведов, С. В.
2010	Комплексный подход к изучению процессов образования ростовых и постростовых дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых методом Чохральского	Верезуб, Н. А.; Простомолотов, А. И.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2010	Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2010	Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
2010	Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площади	Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010	Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером Шоттки	Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.; Гурин, П. М.
2010	Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к	Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2010	Парамагнетизм поликристаллических CVD алмазных пленок, облученных нейтронами	Поклонская, О. Н.
2010	Колебательные моды комплексов дивакансия-кислород и тривакансия-кислород в кремнии	Толкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2010	Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнии	Джадан, М.; Оскар Хосе Араика Ривера; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.
2010	Управление высотой потенциального барьера в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими примесями	Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В.
2010	МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ БОРА ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, СОЗДАННЫХ ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ	Величко, О. И.; Гундорина, Е. А.
2010	ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В Si1–xGex СПЛАВАХ: КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ	Гусаков, В. Е.
2010	PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2	Odrinsky, A. P.; Yu.Seyidov МirHasan; Mammadov, T. G.
2010	ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ	Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2010	ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ЭПР КООРДИНАЦИОННЫХ ПОЛИЭДРОВ КОМПЛЕКСОВ Cu(II) С ОСНОВАНИЯМИ МАННИХА	Гресь, А. Т.; Азарко, И. И.; Ковальчук, Т. В.; Полозов, Г. И.; Логинова, Н. В.
2010	СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА	Зайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2010	ФОТОПРОВОДИМОСТЬ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ВОЗБУЖДЕНИИ	Казючиц, Н. М.; Бублик, М. А.; Курайшевич, Н. Д.; Наумчик, Е. В.; Русецкий, М. С.; Шуленков, А. С.
2010	ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ СВЕРХТВЕРДЫХ МАТЕРИАЛОВ В ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ ЭЛЕКТРОНИКИ	Азарко, И. И.; Игнатенко, О. В.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Шемпель, Н. А.; Янковский, О. Н.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 21 по 40 из 64

< предыдущий следующий >

2010. Материалы и структуры современной электроники : [64] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр