Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49719
Title: Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Филипеня, В. А.
Соловьев, Я. А.
Скуратов, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 142-145.
Abstract: В данной работе изучается влияние сильнодефектного слоя, сформированного облучением высокоэнергетическими ионами криптона, на индуктивность диодов на основе кристаллического кремния.Использование эффекта «отрицательной емкости» позволяет создавать элементы с индуктивным импедансом на базе кремниевых барьерных структур. Повышение удельной (на единицу площади) индуктивности разрабатываемых элементов является актуальной задачей, решение которой позволит реализовать новые схемотехнические приемы в интегральной электронике. Захват и удержание на радиационных дефектах носителей заряда, инжектированных в базу диода, приводит к формированию индуктивного импеданса. Тяжелые ионы с энергией порядка MeV/nucleon создают в кремнии пространственно локализованные «трековые» области с высокой концентрацией радиационных дефектов. Это дает возможность рассматривать высокоэнергетическую имплантацию как метод, позволяющий достигать бо'льших (по сравнению с облучением электронами) значений удельной индуктивности барьерных структур. Кроме того, высокоэнергетическая имплантация оставляет не нарушенным практически весь объем базы диода, что должно положительно сказаться на добротности создаваемых элементов с индуктивным импедансом.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49719
ISBN: 978-985-476-885-4
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.