Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ

Abstract

В данной работе изучается влияние сильнодефектного слоя, сформированного облучением высокоэнергетическими ионами криптона, на индуктивность диодов на основе кристаллического кремния.Использование эффекта «отрицательной емкости» позволяет создавать элементы с индуктивным импедансом на базе кремниевых барьерных структур. Повышение удельной (на единицу площади) индуктивности разрабатываемых элементов является актуальной задачей, решение которой позволит реализовать новые схемотехнические приемы в интегральной электронике. Захват и удержание на радиационных дефектах носителей заряда, инжектированных в базу диода, приводит к формированию индуктивного импеданса. Тяжелые ионы с энергией порядка MeV/nucleon создают в кремнии пространственно локализованные «трековые» области с высокой концентрацией радиационных дефектов. Это дает возможность рассматривать высокоэнергетическую имплантацию как метод, позволяющий достигать бо'льших (по сравнению с облучением электронами) значений удельной индуктивности барьерных структур. Кроме того, высокоэнергетическая имплантация оставляет не нарушенным практически весь объем базы диода, что должно положительно сказаться на добротности создаваемых элементов с индуктивным импедансом.