Logo BSU

Browsing "2010. Материалы и структуры современной электроники" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Showing results 1 to 20 of 64  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2010Управление высотой потенциального барьера в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими примесямиГусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ЭПР КООРДИНАЦИОННЫХ ПОЛИЭДРОВ КОМПЛЕКСОВ Cu(II) С ОСНОВАНИЯМИ МАННИХАГресь, А. Т.; Азарко, И. И.; Ковальчук, Т. В.; Полозов, Г. И.; Логинова, Н. В.
2010ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК SiGeПрокопьев, С. Л.; Кивеня, С. Ю.; Зайков, В. А.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.; Казючиц, Н. М.; Гайдук, П. И.
2010ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК НА ИХ МЕХАНИЧЕСКИЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВАЛапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Углов, В. В.
2010МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ БОРА ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, СОЗДАННЫХ ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВВеличко, О. И.; Гундорина, Е. А.
2010ФОРМИРОВАНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ СЕРЕБРА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ К ГИГАНТСКОМУ КОМБИНАЦИОННОМУ РАССЕЯНИЮ СТРУКТУРБондаренко, А. В.; Холостов, К. И.; Панарин, А. Ю.; Терехов, С. Н.
2010ОСОБЕННОСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АЛМАЗА, СИНТЕЗИРОВАННОГО МЕТОДОМ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУР И ДАВЛЕНИЙНаумчик, Е. В.; Ермакова, А. В.; Казючиц, Н. М.; Шуленков, А. С.
2010ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В ОБЛУЧЕННЫХ НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛЛАХ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА, ОТОЖЖЕННЫХ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ И ДАВЛЕНИЯХПоклонский, Н. А.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Поклонская, О. Н.
2010ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ИНЖЕКЦИИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОЩНЫХ СВЕТОДИОДОВБалохонов, Д. В.; Сернов, С. П.; Колонтаева, Т. В.
2010PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2Odrinsky, A. P.; Yu.Seyidov МirHasan; Mammadov, T. G.
2010Лабораторное сопровождение специальных курсов лекций по изучению электронных состояний и процессов в наноструктурированных конденсированных средахБумай, Ю. А.; Долгих, Н. И.; Лукашевич, М. Г.; Харченко, А. А.
2010Лазерно-плазменное осаждение защитных наноструктурированных углеродных покрытий для оптики и электроникиГончаров, В. К.; Гусаков, Г. А.; Пузырев, М. В.
2010Структура и электрические свойства металлополимерных композитов, полученных имплантацией ионов серебра в ПЭТФВолобуев, В. С.
2010Физико-механические свойства пленок полиэтилентерефталата и полиимида, имплантированных ионами Ag+Вабищевич, С. А.; Волобуев, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Нажим, Ф. А.
2010Оптические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами бораБумай, Ю. А.; Долгих, Н. И.; Лукашевич, М. Г.; Харченко, А. А.; Оджаев, В. Б.
2010Моделирование спектральных характеристик массивов модифицированных углеродных нанотрубок методом молекулярной динамикиБаркалин, В. В.; Плетежов, А. А.
2010Особенности подготовки иностранных студентов и аспирантов на кафедре физики полупроводников и наноэлектроникиОджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Сидоренко, Ю. В.; Олешкевич, А. Н.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ α-SIO2:C ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТАХолостов, К. И.; Чубенко, Е. Б.; Долгий, А. Л.; Бондаренко, В. П.; Васин, А. В.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Охолин, П. А.
2010ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯБабушкина, Н. В.; Малышев, С. А.; Ковалевский, А. А.; Жигулин, Д. В.; Романова, Л. И.