ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННОГО Si:Ge

Abstract

В настоящей работе исследовалось влияния облучения электронами и нейтронами на физико-механические свойства кремния, легированного Ge при выращивании из расплава по методу Чохральского. Установлено, что изовалентная примесь германия снижает трещинностойкость монокристаллов кремния и приводит к увеличению микрохрупкости Si:Ge. Экспериментальные результаты объяснены с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых атомами Ge в монокристаллах кремния. Показано, что формирующиеся при облучении нейтронами области пространственного заряда увеличивают микрохрупкость монокристаллов кремния. Изовалентная примесь Ge подавляет указанный эффект.