Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48789| Заглавие документа: | ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННОГО Si:Ge |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Петров, В. В. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 33-38. |
| Аннотация: | В настоящей работе исследовалось влияния облучения электронами и нейтронами на физико-механические свойства кремния, легированного Ge при выращивании из расплава по методу Чохральского. Установлено, что изовалентная примесь германия снижает трещинностойкость монокристаллов кремния и приводит к увеличению микрохрупкости Si:Ge. Экспериментальные результаты объяснены с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых атомами Ge в монокристаллах кремния. Показано, что формирующиеся при облучении нейтронами области пространственного заряда увеличивают микрохрупкость монокристаллов кремния. Изовалентная примесь Ge подавляет указанный эффект. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48789 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович, В.В. Петров, Н.В. Вабищевич, С.А. Вабищевич.pdf | 241,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.