Logo BSU

Browsing "2010. Материалы и структуры современной электроники" by Title

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 64  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2010Chemical sensitivity of carbon nanofilms on diamond and quartz substratesKumar, V.; Samsonau, S. V.; Zaitsev, A. M.
2010Electric properties of Ni-nanoparticles arraysKsenevich, V. K.; Dauzhenka, T. A.; Bashmakov, I. A.; Wieck, A. D.
2010PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2Odrinsky, A. P.; Yu.Seyidov МirHasan; Mammadov, T. G.
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2010БЕТА-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ МАКРОПОРИСТОГО КРЕМНИЯДолгий, А. Л.
2010Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площадиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010Влияние нанокластеров кремния на точковые мутации ДНК: квантовохимический анализГусаков, В. Е.
2010Влияние облучения ионами Xe+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытийМихалкович, О. М.; Ташлыков, И. С.
2010Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером ШотткиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.; Гурин, П. М.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2010Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнииДжадан, М.; Оскар Хосе Араика Ривера; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.
2010ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ИНЖЕКЦИИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОЩНЫХ СВЕТОДИОДОВБалохонов, Д. В.; Сернов, С. П.; Колонтаева, Т. В.
2010ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК НА ИХ МЕХАНИЧЕСКИЕ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВАЛапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Углов, В. В.
2010ВОЗМОЖНОСТЬ ИЗМЕНЕНИЯ СТРУКТУРЫ ВОДЫ ПРИ ПОМОЩИ ПЕРЕМЕННОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯЛукьяница, В. В.
2010ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯБабушкина, Н. В.; Малышев, С. А.; Ковалевский, А. А.; Жигулин, Д. В.; Романова, Л. И.
2010Изменение структурного состояния приповерхностных слоев кристаллов кремния при комбинированном воздействии малодозового рентгеновского излучения и слабого магнитного поляМакара, В. А.; Стебленко, Л. П.; Калиниченко, Д. В.; Когутюк, П. П.
2010ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ АНТРАЦИТА ПРИ ТЕРМООБРАБОТКЕДжадан, М.; Нур, Х. А.; Федорук, Г. Г.; Давиденко, А. А.; Адашкевич, С. В.; Стельмах, В. Ф.; Стригуцкий, Л. В.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
2010Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Волобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.