Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49721
Title: Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Филипеня, В. А.
Скуратов, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 146-149.
Abstract: Изучено влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 MeV. Установлено, что присутствие неперекрывающихся областей скопления радиационных дефектов, введенных имплантацией ионов криптона с энергией 107 MeV практически не сказывается на величине прямого падения напряжения и вызывает рост генерационно-рекомбинационных токов в пределах порядка величины. Это позволяет рассматривать облучение ионами криптона соответствующими флюенсами в качестве метода снижения заряда переключения диодов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49721
ISBN: 978-985-476-885-4
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.