Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49721| Title: | Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Филипеня, В. А. Скуратов, В. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 146-149. |
| Abstract: | Изучено влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 MeV. Установлено, что присутствие неперекрывающихся областей скопления радиационных дефектов, введенных имплантацией ионов криптона с энергией 107 MeV практически не сказывается на величине прямого падения напряжения и вызывает рост генерационно-рекомбинационных токов в пределах порядка величины. Это позволяет рассматривать облучение ионами криптона соответствующими флюенсами в качестве метода снижения заряда переключения диодов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49721 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов.pdf | 255,79 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.