Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2010. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49721
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.-
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.contributor.authorСкуратов, В. А.-
dc.date.accessioned2013-10-22T14:49:11Z-
dc.date.available2013-10-22T14:49:11Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 146-149.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49721-
dc.description.abstractИзучено влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 MeV. Установлено, что присутствие неперекрывающихся областей скопления радиационных дефектов, введенных имплантацией ионов криптона с энергией 107 MeV практически не сказывается на величине прямого падения напряжения и вызывает рост генерационно-рекомбинационных токов в пределах порядка величины. Это позволяет рассматривать облучение ионами криптона соответствующими флюенсами в качестве метода снижения заряда переключения диодов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2010. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, В.А. Филипеня, В.А. Скуратов.pdf255,79 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.