Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49716
Title: Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к
Authors: Коршунов, Ф. П.
Богатырев, Ю. В.
Карась, В. И.
Ластовский, С. Б.
Мурин, Л. И.
Маркевич, В. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 131-134.
Abstract: В настоящей работе приведены результаты исследования изменений параметров кремниевых р-n-структур, облученных при 670÷720 К разными флюенсами электронов с энергией 6 МэВ. Экспериментальными образцами служили диодные р-n-структуры, изготовленные на пластинах с эпитаксиальным слоем кремния КЭФ–28 толщиной 48 мкм на подложке ЭКЭС-0,01. Р-n-переход создавался имплантацией бора в n-базу с последующим отжигом при 1470 К. В качестве омических контактов напылялся алюминий.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49716
ISBN: 978-985-476-885-4
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.