Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2010. Материалы и структуры современной электроники
Issue Date Author Title Subject
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49716
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorКарась, В. И.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.date.accessioned2013-10-22T14:05:26Z-
dc.date.available2013-10-22T14:05:26Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 131-134.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49716-
dc.description.abstractВ настоящей работе приведены результаты исследования изменений параметров кремниевых р-n-структур, облученных при 670÷720 К разными флюенсами электронов с энергией 6 МэВ. Экспериментальными образцами служили диодные р-n-структуры, изготовленные на пластинах с эпитаксиальным слоем кремния КЭФ–28 толщиной 48 мкм на подложке ЭКЭС-0,01. Р-n-переход создавался имплантацией бора в n-базу с последующим отжигом при 1470 К. В качестве омических контактов напылялся алюминий.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИзменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.И. Карась, С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич.pdf221,58 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.