Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49716| Заглавие документа: | Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к |
| Авторы: | Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Карась, В. И. Ластовский, С. Б. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 131-134. |
| Аннотация: | В настоящей работе приведены результаты исследования изменений параметров кремниевых р-n-структур, облученных при 670÷720 К разными флюенсами электронов с энергией 6 МэВ. Экспериментальными образцами служили диодные р-n-структуры, изготовленные на пластинах с эпитаксиальным слоем кремния КЭФ–28 толщиной 48 мкм на подложке ЭКЭС-0,01. Р-n-переход создавался имплантацией бора в n-базу с последующим отжигом при 1470 К. В качестве омических контактов напылялся алюминий. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49716 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.И. Карась, С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич.pdf | 221,58 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.