Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к

Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49716

Title:	Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к
Authors:	Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Карась, В. И. Ластовский, С. Б. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2010
Publisher:	Издательский центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 131-134.
Abstract:	В настоящей работе приведены результаты исследования изменений параметров кремниевых р-n-структур, облученных при 670÷720 К разными флюенсами электронов с энергией 6 МэВ. Экспериментальными образцами служили диодные р-n-структуры, изготовленные на пластинах с эпитаксиальным слоем кремния КЭФ–28 толщиной 48 мкм на подложке ЭКЭС-0,01. Р-n-переход создавался имплантацией бора в n-базу с последующим отжигом при 1470 К. В качестве омических контактов напылялся алюминий.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/49716
ISBN:	978-985-476-885-4
Appears in Collections:	2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.И. Карась, С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, В.П. Маркевич.pdf		221,58 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar