Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площади

Abstract

В настоящей работе рассматриваются новые решения, направленные на улучшение совокупности статических и динамических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания в приборной структуре зон повышенной рекомбинации (ЗПР) с помощью электронного облучения – технологически удобной и на сегодняшний день наиболее распространенной разновидности радиационной технологии управления быстродействием. В качестве образцов использовались бескорпусные приборные структуры (чипы) промышленных p+-n-n+-силовых диодов, а так же экспериментальные тестовые диодные элементы, изготовленные на монокристаллическом Si, легированном фосфором по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ).