Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49718| Заглавие документа: | Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площади |
| Авторы: | Марченко, И. Г. Жданович, Н. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 138-141. |
| Аннотация: | В настоящей работе рассматриваются новые решения, направленные на улучшение совокупности статических и динамических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания в приборной структуре зон повышенной рекомбинации (ЗПР) с помощью электронного облучения – технологически удобной и на сегодняшний день наиболее распространенной разновидности радиационной технологии управления быстродействием. В качестве образцов использовались бескорпусные приборные структуры (чипы) промышленных p+-n-n+-силовых диодов, а так же экспериментальные тестовые диодные элементы, изготовленные на монокристаллическом Si, легированном фосфором по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49718 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович.pdf | 316,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.