Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48783
Title: ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ
Authors: Бабушкина, Н. В.
Малышев, С. А.
Ковалевский, А. А.
Жигулин, Д. В.
Романова, Л. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 12-15.
Abstract: В данной работе проведено исследование зарядовых свойств МДП-структур с пленками оксида диспрозия в качестве туннельного и запирающего диэлектриков и нанокристаллами поликристаллического кремния, легированного германием, для энергонезависимых элементов памяти.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48783
ISBN: 978-985-476-885-4
Sponsorship: Министерство образования Республики Беларусь; Белорусский государственный университет; Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.