Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48783| Заглавие документа: | ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ |
| Авторы: | Бабушкина, Н. В. Малышев, С. А. Ковалевский, А. А. Жигулин, Д. В. Романова, Л. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 12-15. |
| Аннотация: | В данной работе проведено исследование зарядовых свойств МДП-структур с пленками оксида диспрозия в качестве туннельного и запирающего диэлектриков и нанокристаллами поликристаллического кремния, легированного германием, для энергонезависимых элементов памяти. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48783 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Финансовая поддержка: | Министерство образования Республики Беларусь; Белорусский государственный университет; Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Н.В. Бабушкина, С.А. Малышев, А.А. Ковалевский, Д.В. Жигулин.pdf | 218,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.