Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48783Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бабушкина, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Малышев, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Ковалевский, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Жигулин, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Романова, Л. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-10T14:47:06Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-10T14:47:06Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 12-15. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48783 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе проведено исследование зарядовых свойств МДП-структур с пленками оксида диспрозия в качестве туннельного и запирающего диэлектриков и нанокристаллами поликристаллического кремния, легированного германием, для энергонезависимых элементов памяти. | ru |
| dc.description.sponsorship | Министерство образования Республики Беларусь; Белорусский государственный университет; Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Н.В. Бабушкина, С.А. Малышев, А.А. Ковалевский, Д.В. Жигулин.pdf | 218,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.