ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ

Бабушкина, Н. В.; Малышев, С. А.; Ковалевский, А. А.; Жигулин, Д. В.; Романова, Л. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48783

Title:	ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ДИСПРОЗИЯ С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ
Authors:	Бабушкина, Н. В. Малышев, С. А. Ковалевский, А. А. Жигулин, Д. В. Романова, Л. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2010
Publisher:	Издательский центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 12-15.
Abstract:	В данной работе проведено исследование зарядовых свойств МДП-структур с пленками оксида диспрозия в качестве туннельного и запирающего диэлектриков и нанокристаллами поликристаллического кремния, легированного германием, для энергонезависимых элементов памяти.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/48783
ISBN:	978-985-476-885-4
Sponsorship:	Министерство образования Республики Беларусь; Белорусский государственный университет; Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
Appears in Collections:	2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Н.В. Бабушкина, С.А. Малышев, А.А. Ковалевский, Д.В. Жигулин.pdf		218,25 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar