ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ α-SIO2:C ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТА

Холостов, К. И.; Чубенко, Е. Б.; Долгий, А. Л.; Бондаренко, В. П.; Васин, А. В.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Охолин, П. А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48800

Title:	ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ α-SIO2:C ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТА
Authors:	Холостов, К. И. Чубенко, Е. Б. Долгий, А. Л. Бондаренко, В. П. Васин, А. В. Назаров, А. Н. Лысенко, В. С. Охолин, П. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2010
Publisher:	Издательский центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 74-77.
Abstract:	В настоящей работе проведено исследование влияния параметров карбонизации и окисления на характер фотолюминесценции образцов пористого кремния (ПК). Состав образцов карбонизированного и окисленного ПК, полученных на низкоомных пластинах монокристаллического кремния, был изучен методом комбинационного рассеяния (КР) света , что позволило выбрать оптимальные режимы карбонизации и окисления, благодаря которым были получены аморфные слои оксида кремния, содержащие наноразмерные кластеры углерода. Исследование спектров фотолюминесценции полученных образцов позволило установить, что присутствие углеродных кластеров в матрице окисленного кремния является причиной образования светоизлучающего материала.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/48800
ISBN:	978-985-476-885-4
Appears in Collections:	2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
К.И. Холостов, Е.Б. Чубенко, А.Л. Долгий, В.П. Бондаренко, А.В. Васин, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, П.А. Охолин.pdf		240,25 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar