Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48800
Title: ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ α-SIO2:C ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТА
Authors: Холостов, К. И.
Чубенко, Е. Б.
Долгий, А. Л.
Бондаренко, В. П.
Васин, А. В.
Назаров, А. Н.
Лысенко, В. С.
Охолин, П. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 74-77.
Abstract: В настоящей работе проведено исследование влияния параметров карбонизации и окисления на характер фотолюминесценции образцов пористого кремния (ПК). Состав образцов карбонизированного и окисленного ПК, полученных на низкоомных пластинах монокристаллического кремния, был изучен методом комбинационного рассеяния (КР) света , что позволило выбрать оптимальные режимы карбонизации и окисления, благодаря которым были получены аморфные слои оксида кремния, содержащие наноразмерные кластеры углерода. Исследование спектров фотолюминесценции полученных образцов позволило установить, что присутствие углеродных кластеров в матрице окисленного кремния является причиной образования светоизлучающего материала.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48800
ISBN: 978-985-476-885-4
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.