Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48800
Заглавие документа: | ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ α-SIO2:C ДЛЯ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТА |
Авторы: | Холостов, К. И. Чубенко, Е. Б. Долгий, А. Л. Бондаренко, В. П. Васин, А. В. Назаров, А. Н. Лысенко, В. С. Охолин, П. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2010 |
Издатель: | Издательский центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 74-77. |
Аннотация: | В настоящей работе проведено исследование влияния параметров карбонизации и окисления на характер фотолюминесценции образцов пористого кремния (ПК). Состав образцов карбонизированного и окисленного ПК, полученных на низкоомных пластинах монокристаллического кремния, был изучен методом комбинационного рассеяния (КР) света , что позволило выбрать оптимальные режимы карбонизации и окисления, благодаря которым были получены аморфные слои оксида кремния, содержащие наноразмерные кластеры углерода. Исследование спектров фотолюминесценции полученных образцов позволило установить, что присутствие углеродных кластеров в матрице окисленного кремния является причиной образования светоизлучающего материала. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48800 |
ISBN: | 978-985-476-885-4 |
Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
К.И. Холостов, Е.Б. Чубенко, А.Л. Долгий, В.П. Бондаренко, А.В. Васин, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, П.А. Охолин.pdf | 240,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.