Управление высотой потенциального барьера в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими примесями

Abstract

В работе представлены результаты моделирования рекомбинационных процессов в неоднородно-легированных полупроводниках с глубокими примесями, используемых для создания барьерных структур. Проведенное моделирование показало, что высота потенциального барьера в полупроводниках неоднородно-легированных глубокими примесями зависит от параметров глубокой примеси (сечения захвата для электронов и дырок, глубины залегания энергетических уровней) и концентрации глубокой примеси. Зависимости времени жизни электронов и дырок от уровня возбуждения определяются как инжекционной перезарядкой дефектов, так и снижением потенциального барьера с ростом уровня инжекции. Высотой потенциального барьера можно управлять, подбирая глубокую примесь с соответствующими параметрами и концентрацией, а также изменяя уровень инжекции.