Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49731| Заглавие документа: | Комплексный подход к изучению процессов образования ростовых и постростовых дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых методом Чохральского |
| Авторы: | Верезуб, Н. А. Простомолотов, А. И. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 150-153. |
| Аннотация: | В данной работе рассматривается комплексный методический подход для изучения процессов дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния на основе сочетания математического моделирования и экспериментальных методов. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49731 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Н.А. Верезуб, А.И. Простомолотов, Д.И. Бринкквич, В.С.Просолович.pdf | 247,69 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.