Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/49731
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВерезуб, Н. А.-
dc.contributor.authorПростомолотов, А. И.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.date.accessioned2013-10-22T16:33:24Z-
dc.date.available2013-10-22T16:33:24Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 150-153.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/49731-
dc.description.abstractВ данной работе рассматривается комплексный методический подход для изучения процессов дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния на основе сочетания математического моделирования и экспериментальных методов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleКомплексный подход к изучению процессов образования ростовых и постростовых дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых методом Чохральскогоru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2010. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Н.А. Верезуб, А.И. Простомолотов, Д.И. Бринкквич, В.С.Просолович.pdf247,69 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.