Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48886| Заглавие документа: | ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В Si1–xGex СПЛАВАХ: КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ |
| Авторы: | Гусаков, В. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 108-112. |
| Аннотация: | В настоящей работе представлены результаты по исследованию методами квантовой химии диффузии кислорода в кристаллах Si1–xGex. Кислород является одной из основных технологических примесей в Si/Si1–xGex и широко используется для создания диэлектрических слоев и процессов геттерирования. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48886 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| В.Е. Гусаков.pdf | 233,24 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.